Електронни и полупроводникови прибори

  • 1 0
  • (Rated 5 Stars)
  •  1-1-2019
  •  115

Автор:Йордан Боянов, Иван Ямаков
Издателство:Техника
Страници:518
Корици:твърди
Година:1977
Броя:1
ISBN: Тегло (гр.): Формат: 150/220 Състояние: Добро
Електронни и полупроводникови прибори / Йордан Боянов, Иван Ямаков

СЪДЪРЖАНИЕ
Предговор
Глава I. Въведение
1. Общи сведения. 7
2. Класификация на едектровакуумните и полупроводникови прибори 12
3. Някои сведения от електронната и квантовата теория 15
Глава I I. Електронна емисия
1. Термоелектронна емисия ..... ... 26
2. Термокатоди 30
3. Вторична електронна.емисия 38
4. Фотоелектронна емисия 43
5. Студена емисия •. . 46
Глава III. Движение на електроните в електрически и магнитни полета
1. Движение на електроните в електрическо поле 49
2. Електростатични лещи 55
3. Движение на електроните в магнитно поле 59
4. Магнитни лещи. 61
Глава IV. Двуелектродна лампа
1. Влияние на пространствения заряд, . 64
2. Зависимост между анодния ток и анодното напрежение 68.3. Време за прелитане на електроните 71
4. Статични характеристики на диода 72
5. Електрически показатели и параметри 76
6. Видове двуелектродни лампи 82
Глава V. Триелектродна лампа
1. Устройство и принципи на действие 84
2. Зависимост между токовете и напреженията в триода 88
3. Статични характеристики на триода 90
4. Статични параметри на триода 95
5. Решетъчен ток на триода Ю2
6. Йонизационни явления в електронните лампи 105
Глава VI. Тетроди, пентоди и смесителни лампи
1. Тетроди. . . . 112
2. Пентоди 118
3. Видове пентоди 126
4. Лъчеви тетроди 132
5. Смесителни и честотопреобразуватедни лампи 136
Глава VII. Електроннолъчеви тръби и индикатори
7. Общо описание 146
8. Електронен прожектор. . 148
9. Отклонителни системи 151
10. Екрани 157
11. Видове електроннолъчеви тръби 160
12. Електронни индикатори за настройка 165
Глава VIII. Фотоелектрзнни прибори
6. Фотоелементи 170
7. Фотоелектронни умножители 176
8. Електроннооптични преобразуватели. 180
Глава IX. Йонни лампи
5. Физически явления в йонните лампи 183
6. Видове електрически разряд в газовете. . . 191
7. Лампи с тлеещ разряд 196
8. Йонни лампи с горещ катод 200
Глава X. Полупроводници. Основни сведения и електрически свойства
3. Свойства на кристалните тела • 208
3. Общи сведения за кристалните тела 208
1.2.Общи свойства на полупроводниците 211
1.3. Видове полупроводникови вещества 213
4. Основи на зонната теория 214
4. Допълнителни сведения за строежа на електронната обвивка.214
4. Зонни диаграми и проводимост на метали, полупроводници и ди¬електрици 220
4. Влияние на елементите от III и V група върху проводимостта на
Ge и Si. Примесни полупроводници 224
5. Получаване на чисти монокристали от силиций и германий .... 228
6. Функция на Ферми-Дирак. Формули за концентрацията на токовите носители. Подвижност 232
6. Функция на Ферми—Дирак. Ниво на Ферми 232
6. Формули за концентрацията на токовите носители ..... 233
6. Зависимост на нивото на Ферми от примесите и температурата 238
6. Подвижност на токовите носители 240
6. Температурна зависимост на проводимостта 242
7. Неравновесно- състояние в полупроводниците. Основни понятия и уравнения 243
7. Дифузионни и дрейфови токове в полупроводника 245
7. Време на живот на неосновните токови носители 246
7. Уравнения на непрекъснатостта 248
Глава XI. Контактни язления
Контакт метал—полупроводник. Диоди на Шотки
7. Контакт метал-полупроводчик в равновесно състояние .... 250
8. Зонна диаграма на контакта метал—полупроводник в равнове¬сие. Определяне дебелината на обемния заряд 252
9. Контактметал—полупроводник в неравновесно състояние. Диоди
на Шотки 255
6. Контакт полупроводник-полупроводник 259
6. PN преход в равновесно състояние. Контактен потенцѵал •. 259
2 2. Някои видове PN преходи 264
2.3. PN преход в неравновесно състояние. ... у 265
2.4 Гранични концентрации на неосновните токови носители в п- и р-областите. Инжгкция и екстракция ...267
13. Повърхностни явления 270
Глава XII. Полупроводникови диоди
9. Методи за получаване на PN; преходи и диоди 277
10. Бариерен капацитет на PN прехода. Варикапи 285
I 3. Волтамперна характеристика на идеализирания дигд 288
9. Извод на уравнението на ВАХ на идеализирания диод .... 288
10. Ток на насищанеили топлинен ток. 292
11. Коефициент на инжекция 293
12. Свойства и особености на ВАХ на PN прехода. Статично и ди¬ференциално съпротивление 295
14. Волтамперна характеристика на реалния диод 296
14. Свързване в права посока 297
14. Свързване в обратна посока 300
15. Проби в полупроводниковите диоди 302
15. Максимално допустима температура на прехода 310
16. Параметри на диода при малък променлив сигнал. Дефереициално съ. противление и дифузен капацитет. Еквивалентна схема по променлив ток 316
17. Работа на диода в импулсен режим в режим на изправител на си- нусоидално напрежение 319
18. Разновидности на полупроводниковите диоди. Характеристики и параметри - 324
18. Параметри на полупроводниковите диоди 326
8.2 Средномощни и силови полупроводникови диоди 330
19. Специални полупроводникови диоди. Стабилитрони. Тунелни диоди 334
Глава XIII. Биполярни транзистори
8. Биполярен транзистор. Определения, конструкция, режими на ра¬бота, схеми на свързване 342
8. Движение на токовите носители в транзистора. Уравнение на колек¬торния ток. Коефициент на усилване по ток. • 347
9. Статични характеристики на транзистора при схеми ОБ и ОЕ 353
10. Параметри на транзистора като четириполюсник 365
11. Работа на транзистора при малки променливи сигнали 375
12. Физични параметри и еквивалентни схеми на транзивторите 378
12. Четириполюсни еквивалентни схеми 378
12. Физически параметри 380
12. Теоретичен модел на транзистора, 382
12. Т-образна еквивалентна схема на реалния транзистор .... 383
13. Работа на транзистора при повишена честота. Характерни честоти 384
14. Пробивни напрежения в транзистора 391
15. Транзисторът като усилвател 394
10. Динамични параметри 395
16. Работа на транзистора като ключов елемент. Импулсни параметри 398
17. Зависимост на променливотоковите параметри на транзистора от постоянните токове и напрежения и от температурата. Шумове в транзистора
7. Собствен шум на транзисторите 408
18. Биполярен дрейфов транзйстор 409
19. СВЧ и мощни биполярни транзистори 419
Глава XIV. Полеви транзистори
2.4. Полеви транзистори с PN преход 418
2.5. MOS транзистори 423
2.5. Диференциални параметри на MOS транзистора. Еквива¬лентна схема попромендта ток 429
2.2. MOS транзистор с вграден п и jO-тид канал. 431
3. Двубазсв диод (Еднопреходеи транзистор) 432
Глава XV. Тиристори
1. Основни определения. Принцип на действие 436. Конструктивно оформление и приложения на тиристорите. . . 450. Симетричен тиристор (триак) 453
Глава XVI. Оптоелектронни прибори
20. Общи сведения 456
21. Фоторезистори 459
22. Фотодиоди и фототранзистори 462
23. Светодиоди 468
24. Квантов генератор (лазер). Полугіроводииііов лазер 472
Глава XVII. Полупроводникови прибори, основани на обемни ефекти
11. Терморезис'т.ори. Варистори. Тензод'атчици 478
12. Магниторезистор и. Датчици на Хол 483
13. Термоелектрически прибори 486
14. Гън-диоди 493
Глава XVIII. Микроелектроника
13. Същност на микроелектрониката. Основни клонове и направления 497
13. Микромодулна. техника. 500
13. Интегрални схеми ... 501
14. Видове изолации. Активни и пасивни елементи в полупроводниковите интегрални Схеми. Функционални схеми 503
15. Функционални елементр 507
2.5. Литература 511

Забележка: Здраво книжно тяло, без забележки в текста. Позахабени корици.
о1. Електронни-и-полупроводникови-прибори

Категория › Техническа лит.

Все още няма коментари...

Info! За съжаление само регистрираните потребители могат да публикуват коментари.Моля, влезте или се регистрирайте.