Ръководство за лабораторни упражнения по електронни и полупроводникови елементи и интегрални микросхеми

  • 1 0
  • (Rated 5 Stars)
  •  26-6-2017
  •  183

ПРОДАДЕНА

Автор:Марин Христов, Таничка Василева
Издателство:Техника
Страници:216
Корици:Меки
Година:1988
Броя:1
ISBN: Тегло (гр.): Формат: 145 / 205 Състояние: Мн. добро
СЪДЪРЖАНИЕ

Увод................................................................................3

1. Свойства на полупроводниковите материали . 9

1.1. Концентрация на подвижните носители на заряд в полупроводника ...................9

1.2. Подвижност на токоносителите............................................13

1.3. Специфична електропроводимост..........................................16

Упражнение № 1. Изследване на концентрацията на токоносителите в полупроводникови материали .........18

Упражнение № 2. Изследване на подвижността на токоносителите в полупроводникови материали ...........21

Упражнение № 3. Изследване на специфичната проводимост на полупроводници ..............24

2. Полупроводникови диоди......................27

2.1. Равновесно състояние на PN прехода......................................27

2.2. Неравновесно състояние на PN прехода..................................30

2.3. Волт-амперна характеристика на идеализиран диод......................32

2.4. Физични ефекти при реалните диоди........................................33

2.5. Пробиви в PN прехода........................................................35

2.6. Импулсни свойства на PN прехода..........................................38

2.7. Параметри на диодите........................................................40

2.8. Ценеров и тунелен диод......................................................42

Упражнение № 4. Изследване на идеален и реален PN преход.............45

Упражнение № 5. Изследване на полупроводникови диоди....................49

Упражнение № 6. Изследване на ценеров и тунелен диод......................54

Упражнение № 7. Изследване на импулсните свойства на полупроводникови диоди................58

3. Биполярни транзистори......................62

3.1. Устройство и принцип на действие..........................................62

3.2. Статични характеристики..................................................67

3.3. Параметри на транзистора като четириполюсник. Л-параметри..........70

3.4. Динамичен режим на работа на транзистора..............................77

3.5. Честотни свойства............................................................82

3.6. Импулсни свойства.................................86

Упражнение № 8. Изследване на биполярен транзистор с ЕИМ..............91

Упражнение № 9. Изследване на статичните характеристики на биполярен транзистор......................................................................95

Упражнение № 10. Изследване на зависимостта на /г-параметрите на транзистора в схема общ емитер от режима на работа............. 100

Упражнение № 11. Изследване на зависимостта на /г-параметрите на транзистора в схема общ емитер от температурата................104

Упражнение № 12. Изследване на транзистор в динамичен режим в схеми на свързване общ емитер, обща база и общ колектор.............107

Упражнение № 13. Изследване на честотните свойства на биполярен транзистор...................................113

Упражнение № 14. Изследване на импулсните свойства на биполярен транзистор.....115

4. MOS транзистори................ 117

4.1. Устройство и принцип на действие.....................117

4.2. Статични характеристики на MOS транзисторите............120

4.3. Основни параметри..............................123

Упражнение № 15. Изследване на MOS транзистор с ЕИМ.........125

Упражнение № 16. Изследване на характеристиките на MOS транзистор .............129

5. Тиристори.................... 133

5.1. Устройство и принцип на действие.....................133

5.2. Основни параметри.............................137

Упражнение № 17. Изследване на тиристор с ЕИМ..............141

Упражнение № 18. Изследване на характеристиките на тиристор......145

6. Оптоелектронни прибори...........148

6.1. Фотоприемници...............................148

6.2. Излъчватели.................................155

6.3. Онтрони....................................158

Упражнение № 19. Изследване на оптоелектронни прибори........ . 161

7. Интегрални схеми............... 164

Упражнение № 20. Изследване на транзисторни структури и интегрални схеми......................................173

8. Електровакуумни прибори.......... 177

8.1. Триод.....................................177

8.2. Тетрод...................................182

8.3. Пентод........................ 185

8.4. Статични параметри на тетрода и пентода.................187

8.5. Електроннолъчеви тръби..........................188

Упражнение № 21. Изследване на триод.....................197

Упражнение № 22. Изследване на тетрод и пентод...............201

Упражнение № 23. Изследване на електроннолъчева тръба.........204

Приложения....................................207

Приложение 1. Графични означения на някои полупроводникови елементи в електронните схеми ............................ 207

Приложение 2. Английски съкращения, често използувани в електрониката и изчислителната техника ........................... 209

Литература.....................................214

УДК 621.385 (075.8)
Ръководството за лабораторни упражнения по електронни и полупроводникови елементи и интегрални микросхеми е предназначено за студентите от всички специалности на факултетите по радиоелектроника и автоматика на ВМЕИ „В-И. Ленин“ — София. Описани са 23 упражнения, в които се изследват основните характеристики и параметри на най-често използуваните електронни и полупроводникови елементи. Ръководството може да се ползува и от студенти от други висши учебни заведения, изучаващи сродни дисциплини, от инженери и техници, работещи в тази област.

Глави 3, 4 и 5 са написани от доц. к. т. н. инж. М. Христов, а глави 1, ‘2. 6, 7 и 8— от к. т. н. инж. Т. Василева.
С Марин Христов Христос Таня Крумова Василева, 1988
с/о Jusautor, Sofia 621.3

Категория › Учебници за ВУЗ

Все още няма коментари...

Info! За съжаление само регистрираните потребители могат да публикуват коментари.Моля, влезте или се регистрирайте.